Optical monitoring of technological processes for fabrication of thin-film nanostructures

Thisworkillustratesapplicationofthe uniquefiber-optic instrumentationforin situmonitoringofseveral technologicalprocessescommonlyusedinfabricationof semiconducting thin-film nanostructures. This instrumentation is basedonprinciplesoflowcoherenttandeminterferometry, whichdetermineshighsensitivityandprecision in measuring basic technological parameters, such as thickness of forming layers, temperature and bending of the substrate.The probing wavelength = 1.55 m allows carrying out the measurements on majority of substrates for semiconductor technology: Si, SOI, GaAs, InP, GaP, Al2O3, diamond, ZrO2:Y. Monitoring of such processes as MOVPE, MBEandplasmaetchingin various set-ups was realized. The absolute resolution achieved in these experiments was limited only by calibration accuracy and corresponds to 1 at sensitivity of 0.01 . The accuracy limit in estimating the thickness of layers during their growth is 2 nm. When you are citing the document, use the following link http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/2068

A small angle x-ray scattering study of the droplet-cylinder transition in oil-rich sodium bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate microemulsions

Supramolecular & Biomaterials Chemistr

Study of operating modes of STRAUS-R accelerator

The description of a pulsed electron accelerator STRAUS-R (3.5 MeV, 60 kA, 60 ns) and results of its experimental research for two operation modes are given. In the mode of electron beam focusing the accelerator provides the focal spot of 3-4 mm diameter on a target and maximum exposure dose of 27 R at 1-m distance from the output window. In the irradiating mode the maximum dose achieves 36 R at 1-m distance from the target with inhomogeneity ≤ 30% within the area 0.36 m² (irradiation spot diameter is 0.6 m).Приведены описание и результаты исследований импульсного электронного ускорителя СТРАУС-Р (3,5 МэВ, 60 кА, 60 нс) в двух режимах его работы. В режиме фокусировки электронного пучка ускоритель обеспечивает получение на мишени фокусного пятна диаметром 3…4 мм при максимальной дозе тормозного излучения 27 Р на расстоянии 1 м от выходного фланца. В облучательном режиме максимальная доза тормозного излучения на расстоянии 1 м от мишени по оси ускорителя достигает 36 Р с неоднородностью ≤ 30% на площади 0,36 м² (диаметр пятна облучения 0,6 м).Наведено опис і результати досліджень імпульсного електронного прискорювача СТРАУС-Р (3,5 МеВ, 60 кА, 60 нс) у двох режимах його роботи. У режимі фокусування електронного пучка прискорювач забезпечує одержання на мішені фокусної плями діаметром 3...4 мм при максимальній дозі гальмівного випромінювання 27 Р на відстані 1 м від вихідного фланця. При опроміненні максимальна доза гальмового випромінювання на відстані 1 м від мішені по осі прискорювача досягає 36 Р с неоднорідністю ≤ 30% на площі 0,36 м² (діаметр плями опромінення 0,6 м)